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EDFP112A3PB-GD-F-D

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Spécifications
  • Modèle de produit
    EDFP112A3PB-GD-F-D
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Séries
    -
  • Température de fonctionnement
    -30°C ~ 85°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    24Gb (192M x 128)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 24Gb (192M x 128) Parallel 800MHz
  • Fréquence d'horloge
    800MHz

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EDFB164A1PB-JD-F-D

EDFB164A1PB-JD-F-D

La description: IC DRAM 32G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
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EDFP112A3PB-GD-F-D TR

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La description: IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ

Fabricant: Micron Technology
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EDFB232A1MA-JD-F-D

EDFB232A1MA-JD-F-D

La description: IC DRAM 32G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
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EDFP112A3PB-GDTJ-F-R

EDFP112A3PB-GDTJ-F-R

La description: IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ

Fabricant: Micron Technology
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EDFM432A1PH-GD-F-R TR

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La description: IC DRAM 12G PARALLEL 800MHZ

Fabricant: Micron Technology
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EDFB232A1MA-GD-F-R TR

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La description: IC DRAM 32G PARALLEL 800MHZ

Fabricant: Micron Technology
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EDFB164A1MA-JD-F-R TR

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La description: IC DRAM 32G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
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EDFM432A1PF-JD-F-D

EDFM432A1PF-JD-F-D

La description: IC DRAM 12G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
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EDFB232A1MA-GD-F-D

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La description: IC DRAM 32G PARALLEL 800MHZ

Fabricant: Micron Technology
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EDFP112A3PB-JD-F-D

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La description: IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
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EDFP112A3PB-GDTJ-F-R TR

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EDFB232A1MA-JD-F-R TR

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EDFM432A1PF-GD-F-D

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