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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > M29F800DB55N6
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4884379M29F800DB55N6 imageMicron Technology

M29F800DB55N6

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Spécifications
  • Modèle de produit
    M29F800DB55N6
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    55ns
  • Tension - Alimentation
    4.5 V ~ 5.5 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Package composant fournisseur
    48-TSOP
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Parallel 55ns 48-TSOP
  • Numéro de pièce de base
    M29F800
  • Temps d'accès
    55ns
M29F800DB70N6T TR

M29F800DB70N6T TR

La description: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

Fabricant: Micron Technology
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M29F800DB70N6E

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La description: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

Fabricant: Micron Technology
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M29F400FT5AN6E2

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La description: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

Fabricant: Micron Technology
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M29F800DT55N1

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La description: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

Fabricant: Micron Technology
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M29F400FT55N3E2

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La description: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

Fabricant: Micron Technology
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M29F400FT55M3F2 TR

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M29F800DB70N1

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M29F800DB70N6

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M29F800AB70M1

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M29F400FT5AM62

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M29F800DB55N6E

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M29F800DB70M6E

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La description: IC FLASH 8M PARALLEL 44SO

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M29F400FT55M3E2

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M29F400FT5AM6T2 TR

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M29F800DB70M6

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M29F800DB55N1

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M29F800DB70N6F TR

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M29F800DB70M1

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M29F400FT55M3T2 TR

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