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M29F800FB55M3E2

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Spécifications
  • Modèle de produit
    M29F800FB55M3E2
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 8M PARALLEL 44SO
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    M29F800FB55M3E2.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    55ns
  • Tension - Alimentation
    4.5 V ~ 5.5 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Package composant fournisseur
    44-SO
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Parallel 55ns 44-SO
  • Numéro de pièce de base
    M29F800
  • Temps d'accès
    55ns

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M29F800FB52M3F2 TR

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La description: IC FLASH 8M PARALLEL 44SO

Fabricant: Micron Technology
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M29F800DT70N6

M29F800DT70N6

La description: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

Fabricant: Micron Technology
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M29F800DT70N1T TR

M29F800DT70N1T TR

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Fabricant: Micron Technology
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M29F800FB5AM6F2 TR

M29F800FB5AM6F2 TR

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M29F800FB55N3E2

M29F800FB55N3E2

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M29F800FT55M3F2 TR

M29F800FT55M3F2 TR

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M29F800FB5AN6E2

M29F800FB5AN6E2

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M29F800FB55N3F2 TR

M29F800FB55N3F2 TR

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M29F800DT55N6E

M29F800DT55N6E

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M29F800FT55N3E2

M29F800FT55N3E2

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M29F800FB5AN6F2 TR

M29F800FB5AN6F2 TR

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M29F800FT55N3F2 TR

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M29F800DT70N6F TR

M29F800DT70N6F TR

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M29F800DT70N1

M29F800DT70N1

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M29F800FB55M3F2 TR

M29F800FB55M3F2 TR

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M29F800DT70N6E

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M29F800DT55N6

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M29F800DT70M6E

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M29F800DT70M6

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M29F800FT55M3E2

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