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M29W400DT45ZE6E

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Spécifications
  • Modèle de produit
    M29W400DT45ZE6E
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 4M PARALLEL 48TFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    M29W400DT45ZE6E.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    45ns
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Package composant fournisseur
    48-TFBGA (6x9)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    48-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    4Mb (512K x 8, 256K x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 4Mb (512K x 8, 256K x 16) Parallel 45ns 48-TFBGA (6x9)
  • Numéro de pièce de base
    M29W400
  • Temps d'accès
    45ns

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Paiement
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M29W400DT70N6F TR

M29W400DT70N6F TR

La description: IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
M29W400DB55ZE6E

M29W400DB55ZE6E

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Fabricant: Micron Technology
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M29W400DT70ZE6E

M29W400DT70ZE6E

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Fabricant: Micron Technology
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M29W400DB70N6F TR

M29W400DB70N6F TR

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Fabricant: Micron Technology
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M29W400DT70ZE6F TR

M29W400DT70ZE6F TR

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Fabricant: Micron Technology
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M29W400DB70ZE6F TR

M29W400DB70ZE6F TR

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Fabricant: Micron Technology
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M29W400DB70N1

M29W400DB70N1

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Fabricant: Micron Technology
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M29W400DT55ZE6F TR

M29W400DT55ZE6F TR

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Fabricant: Micron Technology
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M29W400DB70N6T TR

M29W400DB70N6T TR

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Fabricant: Micron Technology
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M29W400DT55ZE6E

M29W400DT55ZE6E

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M29W400DB70N6E

M29W400DB70N6E

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M29W400DB70N6

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M29W400DT70N6E

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M29W400DT45N6E

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M29W400DT70N1

M29W400DT70N1

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M29W400DT55N6F TR

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M29W400DB70ZE6E

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M29W400DB55ZE6F TR

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M29W400DT55N6E

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