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MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
  • Package composant fournisseur
    130-VFBGA (8x9)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    130-VFBGA
  • Autres noms
    MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT-ND
    MT29C1G12MAACVAMD-5EIT
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH, RAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM) Parallel 200MHz 130-VFBGA (8x9)
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT29C1G12M

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MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR

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La description: IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29C1G12MAACVAMD-5 IT

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Fabricant: Micron Technology
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MT29C1G12MAACAEAML-6 IT

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La description: IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT

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Fabricant: Micron Technology
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MT29C1G12MAACAFAML-6 IT

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Fabricant: Micron Technology
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MT29C1G12MAACAEAKC-6 IT

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La description: IC FLASH RAM 1G PARAL 107VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR

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Fabricant: Micron Technology
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MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT

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MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR

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MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR

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MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT TR

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La description: IC FLASH RAM 1G PARAL 137TFBGA

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MT29C1G12MAACVAKC-5 IT

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MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR

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