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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR
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MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.5 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Autres noms
    MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR-ND
    MT29E4T08CTHBBM5-3:BTR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    4Tb (512G x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 4Tb (512G x 8) Parallel 333MHz
  • Fréquence d'horloge
    333MHz

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Paiement
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MT29E3T08EUHBBM4-3:B

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

La description: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

La description: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

La description: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

La description: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E3T08EQHBBG2-3:B

MT29E3T08EQHBBG2-3:B

La description: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E4T08EYHBBG9-3:B

MT29E4T08EYHBBG9-3:B

La description: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B

MT29E384G08EBHBBJ4-3:B

La description: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

La description: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

La description: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

La description: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

La description: IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CKCCBH7-6:C

MT29E512G08CKCCBH7-6:C

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

La description: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29E4T08CTHBBM5-3:B

MT29E4T08CTHBBM5-3:B

La description: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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