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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29F1G08ABBDAM68A3WC1
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MT29F1G08ABBDAM68A3WC1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29F1G08ABBDAM68A3WC1
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 1G PARALLEL WAFER
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    -
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (128M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR

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La description: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29F1G08ABBDAHC:D

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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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