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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29F1T08CUCBBH8-6C:B
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MT29F1T08CUCBBH8-6C:B

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29F1T08CUCBBH8-6C:B
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    -
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    1Tb (128G x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 1Tb (128G x 8) Parallel 167MHz
  • Fréquence d'horloge
    167MHz
MT29F1T08CUCBBH8-6R:B

MT29F1T08CUCBBH8-6R:B

La description: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29F1T08CPCCBH8-6R:C TR

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Fabricant: Micron Technology
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MT29F1T08CQCCBG2-6C:C

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Fabricant: Micron Technology
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MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C

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Fabricant: Micron Technology
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MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C TR

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MT29F1T08CQCBBG2-6R:B TR

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MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR

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MT29F1T08CUCABK8-6:A

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La description: IC FLASH 1T PARALLEL 166MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29F1T08CUEABH8-12:A

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La description: IC FLASH 1T PARALLEL 83MHZ

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MT29F1T08CUCBBH8-6R:B TR

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MT29F1T08CUEABH8-12:A TR

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Fabricant: Micron Technology
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MT29F1T08CUEABH8-12IT:A TR

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Fabricant: Micron Technology
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MT29F1T08CQCCBG2-6R:C

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Fabricant: Micron Technology
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MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B

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MT29F1T08CPECBH8-12:C TR

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MT29F1T08CUCCBH8-6R:C

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MT29F1T08CUCABH8-6R:A TR

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MT29F1T08CUCABK8-6:A TR

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