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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR
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MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Autres noms
    MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR-ND
    MT29F2G08ABAEAWP-AITX:ETR
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    2Gb (256M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E

MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E

La description: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Micron Technology
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MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR

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La description: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Micron Technology
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MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR

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La description: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Micron Technology
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MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E

MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E

La description: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

Fabricant: Micron Technology
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MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E

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La description: IC FLASH 2G PARALLEL TSOP

Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

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La description: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Micron Technology
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MT29F2G08ABAEAWP-AT:E

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MT29F2G08ABAEAH4:E

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Fabricant: Micron Technology
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MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR

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MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR

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Fabricant: Micron Technology
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MT29F2G08ABAEAWP-E:E

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MT29F2G08ABAEAM69A3WC1

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La description: IC FLASH 2G PARALLEL

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MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E

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