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6455540MT29F2G08ABAEAWP:E imageMicron Technology

MT29F2G08ABAEAWP:E

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29F2G08ABAEAWP:E
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Package composant fournisseur
    48-TSOP I
  • Séries
    -
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    2Gb (256M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 48-TSOP I
  • Numéro de pièce de base
    MT29F2G08
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR

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La description: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 2G PARALLEL TSOP

Fabricant: Micron Technology
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