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MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 4G PARALLEL TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    -
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (256M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel

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MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR

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La description: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29F4G16ABAEAWP-IT:E TR

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La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F

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Fabricant: Micron Technology
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MT29F4G16ABBDAH4:D TR

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Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F4G16ABAEAWP:E TR

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La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Fabricant: Micron Technology
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MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR

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Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F4G16ABAEAH4:E

MT29F4G16ABAEAH4:E

La description: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F

MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F

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Fabricant: Micron Technology
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RFQ
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Fabricant: Micron Technology
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MT29F4G16ABAEAH4:E TR

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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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MT29F4G16ABBDAH4:D

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MT29F4G16ABAEAWP:E

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La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

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MT29F4G16ABBDAH4-IT:D

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MT29F4G16ABBDAHC-IT:D

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La description: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F4G16ABAEAWP-IT:E

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La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

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MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR

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La description: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

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MT29F4G16ABBDAHC:D

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