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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR
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MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Autres noms
    MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR-ND
    MT29F512G08CECBBJ4-37ES:BTR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    512Gb (64G x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 267MHz
  • Fréquence d'horloge
    267MHz

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Expédition
Paiement
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MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR

MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR

MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR

MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR

MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08AUEBBH8-12:B

MT29F512G08AUEBBH8-12:B

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR

MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08CECBBJ4-37:B

MT29F512G08CECBBJ4-37:B

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR

MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR

MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR

La description: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR

MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F512G08CFCBBWP-10:B

MT29F512G08CFCBBWP-10:B

La description: MLC 512G 64GX8 TSOP DDP

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR

MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 200MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B

MT29F512G08CFCBBWP-10M:B

La description: MLC 512G 64GX8 TSOP DDP

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B

La description: IC FLASH

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR

MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
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