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MT29F512G08CUCABH3-12IT:A

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29F512G08CUCABH3-12IT:A
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    -
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    512Gb (64G x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 83MHz
  • Fréquence d'horloge
    83MHz

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Paiement
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MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A

MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A TR

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La description: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR

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La description: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

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MT29F512G08CUCABH3-12:A

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La description: IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

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La description: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

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RFQ
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La description: IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

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La description: IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

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La description: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

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