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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
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12987MT40A1G8WE-083E AIT:B TR imageMicron Technology

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT40A1G8WE-083E AIT:B TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.26 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR4
  • Package composant fournisseur
    78-FBGA (8x12)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    78-TFBGA
  • Autres noms
    557-1683-2
    MT40A1G8WE-083E AIT:B TR-ND
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    8Gb (1G x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (8x12)
  • Fréquence d'horloge
    1.2GHz

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Paiement
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MT40A256M16GE-062E:B TR

MT40A256M16GE-062E:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A1G8WE-075E IT:B

MT40A1G8WE-075E IT:B

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A256M16GE-062E IT:B TR

MT40A256M16GE-062E IT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A256M16GE-062E IT:B

MT40A256M16GE-062E IT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A1G8WE-075E:B TR

MT40A1G8WE-075E:B TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A1G8Z01AWC1

MT40A1G8Z01AWC1

La description: DDR4 8G DIE 1GX8

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A1G8WE-075E:D

MT40A1G8WE-075E:D

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-075E AAT:B

MT40A256M16GE-075E AAT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A1G8WE-075E:D TR

MT40A1G8WE-075E:D TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A1G8WE-075E IT:B TR

MT40A1G8WE-075E IT:B TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A1G8WE-083E AIT:B

MT40A1G8WE-083E AIT:B

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-062E:B

MT40A256M16GE-062E:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A1G8WE-075E:B

MT40A1G8WE-075E:B

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A1G8WE-083E AAT:B

MT40A1G8WE-083E AAT:B

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A1G8WE-083E AUT:B

MT40A1G8WE-083E AUT:B

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR

MT40A1G8WE-075E AIT:B TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A1G8WE-083E:B TR

MT40A1G8WE-083E:B TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A1G8WE-083E IT:B TR

MT40A1G8WE-083E IT:B TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
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