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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT40A256M16GE-075E AUT:B TR
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1893517MT40A256M16GE-075E AUT:B TR imageMicron Technology

MT40A256M16GE-075E AUT:B TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT40A256M16GE-075E AUT:B TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT40A256M16GE-075E AUT:B TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.26 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR4
  • Package composant fournisseur
    96-FBGA (14x9)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    96-TFBGA
  • Autres noms
    557-1730-2
    MT40A256M16GE-075E AUT:B TR-ND
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (256M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.33GHz 96-FBGA (14x9)
  • Fréquence d'horloge
    1.33GHz

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MT40A256M16GE-083E AAT:B

MT40A256M16GE-083E AAT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-075E IT:B TR

MT40A256M16GE-075E IT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR

MT40A256M16GE-075E AIT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-075E:B

MT40A256M16GE-075E:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-062E:B

MT40A256M16GE-062E:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-075E AUT:B

MT40A256M16GE-075E AUT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-075E AIT:B

MT40A256M16GE-075E AIT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-083E AUT:B

MT40A256M16GE-083E AUT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-083E AIT:B

MT40A256M16GE-083E AIT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-062E IT:B

MT40A256M16GE-062E IT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-062E IT:B TR

MT40A256M16GE-062E IT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

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RFQ
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

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RFQ
MT40A256M16GE-075E IT:B

MT40A256M16GE-075E IT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A256M16GE-062E:B TR

MT40A256M16GE-062E:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-075E AAT:B

MT40A256M16GE-075E AAT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A1G8Z01AWC1

MT40A1G8Z01AWC1

La description: DDR4 8G DIE 1GX8

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-083E IT:B TR

MT40A256M16GE-083E IT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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