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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT40A256M16GE-083E:B
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964905MT40A256M16GE-083E:B imageMicron Technology

MT40A256M16GE-083E:B

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT40A256M16GE-083E:B
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT40A256M16GE-083E:B.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.26 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR4
  • Package composant fournisseur
    96-FBGA (14x9)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    96-TFBGA
  • Autres noms
    557-1748
    MT40A256M16GE-083E:B-ND
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (256M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.2GHz 96-FBGA (14x9)
  • Fréquence d'horloge
    1.2GHz

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Paiement
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MT40A256M16GE-083E AIT:B

MT40A256M16GE-083E AIT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A2G4WE-075E:B

MT40A2G4WE-075E:B

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A2G4SA-062E:E TR

MT40A2G4SA-062E:E TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A2G4SA-075:E TR

MT40A2G4SA-075:E TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A2G4SA-075:E

MT40A2G4SA-075:E

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A2G4TRF-107E:A

MT40A2G4TRF-107E:A

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT40A256M16GE-083E IT:B TR

MT40A256M16GE-083E IT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A2G4TRF-083E:A

MT40A2G4TRF-083E:A

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-083E AUT:B

MT40A256M16GE-083E AUT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-083E AAT:B

MT40A256M16GE-083E AAT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A2G4SA-062E:E

MT40A2G4SA-062E:E

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A2G4PM-083E:A

MT40A2G4PM-083E:A

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-075E IT:B TR

MT40A256M16GE-075E IT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A2G4TRF-093E:A

MT40A2G4TRF-093E:A

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT40A256M16GE-075E:B

MT40A256M16GE-075E:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT40A256M16GE-075E IT:B

MT40A256M16GE-075E IT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT40A256M16Z90BWC1

MT40A256M16Z90BWC1

La description: DDR4 4G DIE 256MX16

Fabricant: Micron Technology
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