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MT41J512M8RH-107:E

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT41J512M8RH-107:E
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT41J512M8RH-107:E.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.425 V ~ 1.575 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR3
  • Package composant fournisseur
    78-FBGA (9x10.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    78-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (512M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 933MHz 20ns 78-FBGA (9x10.5)
  • Fréquence d'horloge
    933MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT41J512M8
  • Temps d'accès
    20ns

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Paiement
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MT41J64M16JT-15E AAT:G TR

MT41J64M16JT-15E AAT:G TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41J512M4HX-15E:D

MT41J512M4HX-15E:D

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41J512M8RH-093:E TR

MT41J512M8RH-093:E TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41J256M8JE-15E:A

MT41J256M8JE-15E:A

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41J256M8JE-187E:A

MT41J256M8JE-187E:A

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41J64M16JT-125:G

MT41J64M16JT-125:G

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41J512M8THD-187E:D

MT41J512M8THD-187E:D

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41J512M8THD-15E:D

MT41J512M8THD-15E:D

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41J512M4HX-125:D

MT41J512M4HX-125:D

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41J512M8THU-187E:A

MT41J512M8THU-187E:A

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41J512M8THU-15E:A

MT41J512M8THU-15E:A

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 667MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41J64M16JT-15E AAT:G

MT41J64M16JT-15E AAT:G

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41J512M4HX-187E:D

MT41J512M4HX-187E:D

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41J64M16JT-107:G

MT41J64M16JT-107:G

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41J64M16JT-125:G TR

MT41J64M16JT-125:G TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41J512M4JE-15E:A

MT41J512M4JE-15E:A

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41J512M8RA-15E IT:D

MT41J512M8RA-15E IT:D

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41J64M16JT-125E:G

MT41J64M16JT-125E:G

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41J256M8HX-187E:D

MT41J256M8HX-187E:D

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41J512M8RH-093:E

MT41J512M8RH-093:E

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
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