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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT41K256M16TW-093:P TR
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MT41K256M16TW-093:P TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT41K256M16TW-093:P TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT41K256M16TW-093:P TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.283 V ~ 1.45 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR3L
  • Package composant fournisseur
    96-FBGA (8x14)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    96-TFBGA
  • Autres noms
    MT41K256M16TW-093:P TR-ND
    MT41K256M16TW-093:PTR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (256M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1067MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
  • Fréquence d'horloge
    1067MHz
  • Temps d'accès
    20ns

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Expédition
Paiement
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MT41K256M16TW-093:P

MT41K256M16TW-093:P

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16HA-125:E

MT41K256M16HA-125:E

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16HA-125:E TR

MT41K256M16HA-125:E TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P

MT41K256M16TW-107 AUT:P

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16LY-107:N TR

MT41K256M16LY-107:N TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K256M16TW-107 AT:P

MT41K256M16TW-107 AT:P

La description: MEMORY DRAM

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K256M16RE-15E IT:D

MT41K256M16RE-15E IT:D

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K256M16LY-107:N

MT41K256M16LY-107:N

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K256M16TW-107 AT:P TR

MT41K256M16TW-107 AT:P TR

La description: MEMORY DRAM

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K256M16TW-107 AAT:P

MT41K256M16TW-107 AAT:P

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K256M16LY-093:N

MT41K256M16LY-093:N

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT41K256M16TW-093 IT:P TR

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT41K256M16LY-093:N TR

MT41K256M16LY-093:N TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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MT41K256M16TW-107 AIT:P

MT41K256M16TW-107 AIT:P

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MT41K256M16TW-107 V:P

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

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MT41K256M16TW-093 IT:P

MT41K256M16TW-093 IT:P

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