Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT41K256M16TW-125:P
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
2669586

MT41K256M16TW-125:P

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    MT41K256M16TW-125:P
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT41K256M16TW-125:P.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.283 V ~ 1.45 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR3L
  • Séries
    -
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (256M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns
  • Fréquence d'horloge
    800MHz
  • Temps d'accès
    20ns

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "MT41K256M16TW-125:P".
MT41K256M16V80AWC1

MT41K256M16V80AWC1

La description: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P

MT41K256M16TW-107 AUT:P

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M4DA-107:J

MT41K256M4DA-107:J

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P

MT41K256M16TW-107 V:P

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16TW-107 XIT:P

MT41K256M16TW-107 XIT:P

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M4JP-15E:G

MT41K256M4JP-15E:G

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16TW-107:P TR

MT41K256M16TW-107:P TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16V00HWC1

MT41K256M16V00HWC1

La description: IC FLASH NAND 32GX8 TSOP

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16TW-107 AT:P TR

MT41K256M16TW-107 AT:P TR

La description: MEMORY DRAM

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16V90BWC1

MT41K256M16V90BWC1

La description: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M8DA-107 AAT:K

MT41K256M8DA-107 AAT:K

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P TR

MT41K256M16TW-107 V:P TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16V00HWC1-N001

MT41K256M16V00HWC1-N001

La description: DDR3 4G DIE 256MX16

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M4JP-125:G

MT41K256M4JP-125:G

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M4JP-15E:G TR

MT41K256M4JP-15E:G TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW-107:P

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K256M4DA-107:J TR

MT41K256M4DA-107:J TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.