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MT44K32M36RB-083E:A

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  • Modèle de produit
    MT44K32M36RB-083E:A
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.28 V ~ 1.42 V
  • La technologie
    DRAM
  • Séries
    -
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1.125Gb (32Mb x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    DRAM Memory IC 1.125Gb (32Mb x 36) Parallel 1200MHz 7.5ns
  • Fréquence d'horloge
    1200MHz
  • Temps d'accès
    7.5ns
MT44K32M36RB-107E IT:A TR

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La description: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

Fabricant: Micron Technology
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MT44K32M36RB-093E:A

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La description: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT44K32M36RB-083E:A TR

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La description: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT44K32M18RB-125:A

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La description: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Fabricant: Micron Technology
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MT44K32M18RB-125E:A TR

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Fabricant: Micron Technology
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MT44K32M18RB-125:A TR

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MT44K32M36RB-107E:A

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MT44K32M36RB-093E:A TR

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MT44K32M36RB-083F:A

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MT44K32M18RB-107E:B TR

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La description: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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MT44K32M18RB-125F:A

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MT44K32M36RB-107E IT:A

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MT44K32M36RB-093F:A TR

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La description: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

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MT44K32M36RB-093F:A

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MT44K32M18RB-125E IT:A TR

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MT44K32M18RB-107E:B

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