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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT46H128M32L2MC-6 WT:B
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MT46H128M32L2MC-6 WT:B

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT46H128M32L2MC-6 WT:B
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT46H128M32L2MC-6 WT:B.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Package composant fournisseur
    240-WFBGA (14x14)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    240-WFBGA
  • Autres noms
    MT46H128M32L2MC-6 WT:B-ND
    MT46H128M32L2MC-6WT:B
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (128M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 166MHz 5.0ns 240-WFBGA (14x14)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT46H128M32
  • Temps d'accès
    5.0ns

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Paiement
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MT46H16M16LFBF-5:H TR

MT46H16M16LFBF-5:H TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M16LFBF-5 IT:H

MT46H16M16LFBF-5 IT:H

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR

MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M16LFBF-6 AT:H

MT46H16M16LFBF-6 AT:H

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR

MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H128M32L2MC-5 WT:B

MT46H128M32L2MC-5 WT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M16LFBF-6 IT:H

MT46H16M16LFBF-6 IT:H

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H128M32L2MC-5 IT:A

MT46H128M32L2MC-5 IT:A

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR

MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR

MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR

MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H128M32L2MC-6 IT:A

MT46H128M32L2MC-6 IT:A

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR

MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M16LFBF-6 IT:A

MT46H16M16LFBF-6 IT:A

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

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MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR

MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

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MT46H128M32L2KQ-5 WT:B

MT46H128M32L2KQ-5 WT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

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MT46H128M32L2KQ-6 IT:B

MT46H128M32L2KQ-6 IT:B

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

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MT46H16M16LFBF-5:H

MT46H16M16LFBF-5:H

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

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MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR

MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

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MT46H128M32L2KQ-6 WT:B

MT46H128M32L2KQ-6 WT:B

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Fabricant: Micron Technology
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