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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR
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MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    14.4ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Package composant fournisseur
    168-TFBGA (12x12)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    168-TFBGA
  • Autres noms
    MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR-ND
    MT46H256M32L4SA-48WT:CTR
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    8Gb (256M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 8Gb (256M x 32) Parallel 208MHz 5.0ns 168-TFBGA (12x12)
  • Fréquence d'horloge
    208MHz
  • Temps d'accès
    5.0ns

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Expédition
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MT46H256M32L4LE-48 WT:C

MT46H256M32L4LE-48 WT:C

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 208MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR

MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR

MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H256M32L4JV-6 IT:A

MT46H256M32L4JV-6 IT:A

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR

MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H32M16LFBF-5 IT:B

MT46H32M16LFBF-5 IT:B

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H256M32R4JV-5 IT:B

MT46H256M32R4JV-5 IT:B

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H256M32L4JV-6 WT:B

MT46H256M32L4JV-6 WT:B

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H256M32L4JV-5 IT:B

MT46H256M32L4JV-5 IT:B

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR

MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H256M32R4JV-5 WT:B

MT46H256M32R4JV-5 WT:B

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H256M32L4JV-5 WT:B

MT46H256M32L4JV-5 WT:B

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR

MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C

MT46H32M16LFBF-5 AIT:C

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H32M16LFBF-5 IT:C

MT46H32M16LFBF-5 IT:C

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

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MT46H256M32L4SA-48 WT:C

MT46H256M32L4SA-48 WT:C

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA

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MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR

MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

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MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR

MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR

MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR

MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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