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3857195MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR imageMicron Technology

MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Package composant fournisseur
    60-VFBGA (8x9)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    60-VFBGA
  • Autres noms
    MT46H8M16LFBF-6 IT:K
    MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR-ND
    MT46H8M16LFBF-6 IT:K-ND
    MT46H8M16LFBF-6IT:KTR
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    128Mb (8M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.0ns 60-VFBGA (8x9)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT46H8M16
  • Temps d'accès
    5.0ns
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR

MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT46H8M32LFB5-5 IT:H

MT46H8M32LFB5-5 IT:H

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT46H8M16LFBF-6:K

MT46H8M16LFBF-6:K

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR

MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT46H8M16LFBF-5:K TR

MT46H8M16LFBF-5:K TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT46H8M16LFCF-10 IT

MT46H8M16LFCF-10 IT

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H8M16LFCF-75 IT

MT46H8M16LFCF-75 IT

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT46H8M16LFBF-5:K

MT46H8M16LFBF-5:K

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H8M16LFCF-10 IT TR

MT46H8M16LFCF-10 IT TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H8M16LFBF-6 AT:K

MT46H8M16LFBF-6 AT:K

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H8M16LFCF-10 TR

MT46H8M16LFCF-10 TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H8M16LFCF-10

MT46H8M16LFCF-10

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR

MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H64M32LFMA-6 IT:B

MT46H64M32LFMA-6 IT:B

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H8M16LFBF-5 IT:K

MT46H8M16LFBF-5 IT:K

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR

MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H64M32LFMA-6 WT:B

MT46H64M32LFMA-6 WT:B

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H8M16LFCF-75

MT46H8M16LFCF-75

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H64M32LFT89MWC2-N1004

MT46H64M32LFT89MWC2-N1004

La description: MOBILE DDR 2G DIE 64MX32

Fabricant: Micron Technology
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