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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT46V128M8P-6T IT:A
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1033513MT46V128M8P-6T IT:A imageMicron Technology

MT46V128M8P-6T IT:A

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT46V128M8P-6T IT:A
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    2.3 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    66-TSOP
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Autres noms
    MT46V128M8P-6T IT:A-ND
    MT46V128M8P-6TIT:A
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (128M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 167MHz 700ps 66-TSOP
  • Fréquence d'horloge
    167MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT46V128M8
  • Temps d'accès
    700ps
MT46V128M4TG-5B:F

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricant: Micron Technology
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MT46V128M4TG-75E:D TR

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MT46V128M4TG-5B:F TR

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MT46V128M8P-6T:A

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MT46V128M8P-75:A TR

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MT46V128M8P-75:A

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MT46V16M16BG-6 IT:F TR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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MT46V128M8TG-6T:A

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MT46V128M8TG-75:A

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