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1758096MT46V32M16BN-6:C imageMicron Technology

MT46V32M16BN-6:C

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT46V32M16BN-6:C
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    2.3 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    60-FBGA (10x12.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    60-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (32M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 167MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
  • Fréquence d'horloge
    167MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT46V32M16
  • Temps d'accès
    700ps

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Paiement
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MT46V32M16BN-5B L IT:F

MT46V32M16BN-5B L IT:F

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT46V32M16BN-5B:F

MT46V32M16BN-5B:F

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT46V32M16BN-75 IT:C

MT46V32M16BN-75 IT:C

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT46V32M16BN-75:C TR

MT46V32M16BN-75:C TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT46V32M16BN-75:C

MT46V32M16BN-75:C

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT46V32M16BN-5B:F TR

MT46V32M16BN-5B:F TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT46V32M16BN-5B:C TR

MT46V32M16BN-5B:C TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V32M16BN-5B:C

MT46V32M16BN-5B:C

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V32M16BN-75 L:C

MT46V32M16BN-75 L:C

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V256M4TG-75:A

MT46V256M4TG-75:A

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V32M16BN-6:C TR

MT46V32M16BN-6:C TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V32M16BN-5B IT:F

MT46V32M16BN-5B IT:F

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V32M16BN-6 IT:F

MT46V32M16BN-6 IT:F

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V32M16BN-6:F TR

MT46V32M16BN-6:F TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V32M16BN-75 L:C TR

MT46V32M16BN-75 L:C TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V32M16BN-6 IT:F TR

MT46V32M16BN-6 IT:F TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46V32M16CV-5B IT:J

MT46V32M16CV-5B IT:J

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V256M4TG-75:A TR

MT46V256M4TG-75:A TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V32M16BN-75 IT:C TR

MT46V32M16BN-75 IT:C TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V32M16CV-5B IT:J

MT46V32M16CV-5B IT:J

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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