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MT46V64M8BN-6:D

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT46V64M8BN-6:D
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    2.3 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    60-FBGA (10x12.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    60-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (64M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 167MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
  • Fréquence d'horloge
    167MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT46V64M8
  • Temps d'accès
    700ps
MT46V64M8BN-5B:D

MT46V64M8BN-5B:D

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46V64M8BN-6:D TR

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MT46V64M8BN-6 IT:F TR

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Fabricant: Micron Technology
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MT46V64M8BN-6 IT:F

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Fabricant: Micron Technology
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MT46V64M8BN-75 L:D

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MT46V64M8BN-5B:F TR

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MT46V64M8BN-5B:D TR

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MT46V64M8BN-6 L:F TR

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MT46V64M8BN-6:F

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MT46V64M8BN-75:D TR

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MT46V64M8CV-5B IT:J

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MT46V64M8BN-75 IT:D TR

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MT46V64M8BN-6:F TR

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MT46V64M8BN-75 L:D TR

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MT46V64M8BN-5B:F

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MT46V64M8BN-6 L:F

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MT46V64M8BN-75 IT:D

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MT46V64M8BN-75:D

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MT46V64M4TG-75:G

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M4TG-75:G TR

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