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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT47H128M16RT-25E AAT:C TR
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MT47H128M16RT-25E AAT:C TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT47H128M16RT-25E AAT:C TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT47H128M16RT-25E AAT:C TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    84-FBGA (9x12.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    84-TFBGA
  • Autres noms
    MT47H128M16RT-25E AAT:C TR-ND
    MT47H128M16RT-25EAAT:CTR
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    2Gb (128M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT47H128M16
  • Temps d'accès
    400ps

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Expédition
Paiement
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MT47H128M16PK-25E IT:C

MT47H128M16PK-25E IT:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M16RT-187E:C

MT47H128M16RT-187E:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M16RT-3:C

MT47H128M16RT-3:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M16PK-25E IT:C

MT47H128M16PK-25E IT:C

La description: IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
MT47H128M16RT-25E XIT:C

MT47H128M16RT-25E XIT:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M16RT-25E AIT:C

MT47H128M16RT-25E AIT:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M16RT-25E IT:C TR

MT47H128M16RT-25E IT:C TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V8M16TG-6T:D TR

MT46V8M16TG-6T:D TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M16RT-187E:C TR

MT47H128M16RT-187E:C TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M16RT-25E:C TR

MT47H128M16RT-25E:C TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M16PK-25E IT:CTR

MT47H128M16PK-25E IT:CTR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V8M16TG-6T L:D TR

MT46V8M16TG-6T L:D TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M16RT-25E AAT:C

MT47H128M16RT-25E AAT:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M16RT-25E IT:C

MT47H128M16RT-25E IT:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V8M16TG-75:D

MT46V8M16TG-75:D

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V8M16TG-75:D TR

MT46V8M16TG-75:D TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Fabricant: Micron Technology
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