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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT47H128M4CB-3:B TR
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1308219MT47H128M4CB-3:B TR imageMicron Technology

MT47H128M4CB-3:B TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT47H128M4CB-3:B TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT47H128M4CB-3:B TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    60-FBGA
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    60-FBGA
  • Autres noms
    MT47H128M4CB-3:B TR-ND
    MT47H128M4CB-3:BTR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (128M x 4)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA
  • Fréquence d'horloge
    333MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT47H128M4
  • Temps d'accès
    450ps

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Paiement
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MT47H128M4CF-187E:G

MT47H128M4CF-187E:G

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M4CB-37E:B

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M4CF-25E:G

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M16RT-3:C

MT47H128M16RT-3:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M4BT-37E:A TR

MT47H128M4BT-37E:A TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M4SH-25E:H TR

MT47H128M4SH-25E:H TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M4CF-25E:G TR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M4B6-3:D TR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M4CB-37E:B TR

MT47H128M4CB-37E:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M16RT-25E:C TR

MT47H128M16RT-25E:C TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8B7-37E:A

MT47H128M8B7-37E:A

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8B7-37E L:A TR

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M4B6-25E:D TR

MT47H128M4B6-25E:D TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8B7-37E L:A

MT47H128M8B7-37E L:A

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M4SH-25E:H

MT47H128M4SH-25E:H

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M4CB-5E:B TR

MT47H128M4CB-5E:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M4CB-3:B

MT47H128M4CB-3:B

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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