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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT47H128M8HQ-187E:E TR
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4747863MT47H128M8HQ-187E:E TR imageMicron Technology

MT47H128M8HQ-187E:E TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT47H128M8HQ-187E:E TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT47H128M8HQ-187E:E TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    60-FBGA (8x11.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    60-FBGA
  • Autres noms
    557-1425-6
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (128M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 533MHz 350ps 60-FBGA (8x11.5)
  • Fréquence d'horloge
    533MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT47H128M8
  • Temps d'accès
    350ps

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MT47H128M8CF-3:H

MT47H128M8CF-3:H

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8CF-3:H TR

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Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M8HQ-3 L:G

MT47H128M8HQ-3 L:G

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8HQ-3:G TR

MT47H128M8HQ-3:G TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8JN-25E:H

MT47H128M8JN-25E:H

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8HQ-3 IT:G

MT47H128M8HQ-3 IT:G

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8CF-3 IT:H TR

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8CF-3 AIT:H

MT47H128M8CF-3 AIT:H

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8HQ-3:E TR

MT47H128M8HQ-3:E TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8HQ-3 L:G TR

MT47H128M8HQ-3 L:G TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8CF-3:H

MT47H128M8CF-3:H

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
MT47H128M8CF-3 L:H TR

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8JN-3:H

MT47H128M8JN-3:H

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8CF-3 L:H

MT47H128M8CF-3 L:H

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8JN-3 IT:H

MT47H128M8JN-3 IT:H

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47H128M8SH-187E:M

MT47H128M8SH-187E:M

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47H128M8CF-3 AAT:H TR

MT47H128M8CF-3 AAT:H TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8CF-3 IT:H

MT47H128M8CF-3 IT:H

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
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