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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT47H16M16BG-37V:B
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3279761MT47H16M16BG-37V:B imageMicron Technology

MT47H16M16BG-37V:B

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT47H16M16BG-37V:B
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    84-FBGA (8x14)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    84-FBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (16M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 267MHz 500ps 84-FBGA (8x14)
  • Fréquence d'horloge
    267MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT47H16M16
  • Temps d'accès
    500ps

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Expédition
Paiement
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MT47H16M16BG-37E:B TR

MT47H16M16BG-37E:B TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H1G4WTR-25E:C

MT47H1G4WTR-25E:C

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H16M16BG-3E:B

MT47H16M16BG-3E:B

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M8SH-25E AAT:M

MT47H128M8SH-25E AAT:M

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H128M8JN-3:H

MT47H128M8JN-3:H

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H1G4WTR-25E:C TR

MT47H1G4WTR-25E:C TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H256M4B7-37E:A

MT47H256M4B7-37E:A

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H16M16BG-5E:B TR

MT47H16M16BG-5E:B TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H16M16BG-3 IT:B TR

MT47H16M16BG-3 IT:B TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H256M4B7-5E:A

MT47H256M4B7-5E:A

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8SH-25E:M

MT47H128M8SH-25E:M

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H256M4B7-5E:A TR

MT47H256M4B7-5E:A TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H16M16BG-3:B TR

MT47H16M16BG-3:B TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H16M16BG-5E:B

MT47H16M16BG-5E:B

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8SH-25E AIT:M

MT47H128M8SH-25E AIT:M

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8JN-3 IT:H

MT47H128M8JN-3 IT:H

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8SH-187E:M

MT47H128M8SH-187E:M

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H256M4B7-37E:A TR

MT47H256M4B7-37E:A TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8SH-187E:M TR

MT47H128M8SH-187E:M TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M8SH-25E IT:M

MT47H128M8SH-25E IT:M

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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