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MT47H256M8THN-3:H

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT47H256M8THN-3:H
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.MT47H256M8THN-3:H.pdf
    2.MT47H256M8THN-3:H.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    63-FBGA (8x10)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    63-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    2Gb (256M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 333MHz 450ps 63-FBGA (8x10)
  • Fréquence d'horloge
    333MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT47H256M8
  • Temps d'accès
    450ps

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MT47H32M16BN-3 IT:D TR

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H256M8THN-25E:H TR

MT47H256M8THN-25E:H TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H32M16BN-37E:D TR

MT47H32M16BN-37E:D TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H32M16BN-25E:D TR

MT47H32M16BN-25E:D TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H256M8EB-25E:C TR

MT47H256M8EB-25E:C TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H256M8THN-25E IT:H

MT47H256M8THN-25E IT:H

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H256M8THN-25E:H

MT47H256M8THN-25E:H

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H256M8EB-3:C

MT47H256M8EB-3:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H32M16BN-37E IT:D TR

MT47H32M16BN-37E IT:D TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H256M8EB-3:C TR

MT47H256M8EB-3:C TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H256M8THN-3:H TR

MT47H256M8THN-3:H TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H256M8THN-25E:M

MT47H256M8THN-25E:M

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H32M16BN-3:D TR

MT47H32M16BN-3:D TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47H256M8THN-25E:M TR

MT47H256M8THN-25E:M TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47H32M16BN-5E:D TR

MT47H32M16BN-5E:D TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47H256M8EB-25E:C

MT47H256M8EB-25E:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47H256M8THN-3 IT:H

MT47H256M8THN-3 IT:H

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Fabricant: Micron Technology
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MT47H32M16BN-25E IT:D TR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16BN-5E IT:D TR

MT47H32M16BN-5E IT:D TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16BN-25:D TR

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