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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT47H512M4EB-25E:C TR
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MT47H512M4EB-25E:C TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT47H512M4EB-25E:C TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT47H512M4EB-25E:C TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    60-FBGA (9x11.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    60-TFBGA
  • Autres noms
    MT47H512M4EB-25E:C TR-ND
    MT47H512M4EB-25E:CTR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    2Gb (512M x 4)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT47H512M4
  • Temps d'accès
    400ps

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Expédition
Paiement
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MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H32M16NF-25E IT:H TR

MT47H32M16NF-25E IT:H TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H32M16NF-25E:H

MT47H32M16NF-25E:H

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H512M8WTR-25E:C TR

MT47H512M8WTR-25E:C TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H32M16U67A3WC1

MT47H32M16U67A3WC1

La description: IC DRAM 512M PARALLEL WAFER

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H512M4THN-3:H

MT47H512M4THN-3:H

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H512M8WTR-3:C

MT47H512M8WTR-3:C

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47H512M8WTR-25E:C

MT47H512M8WTR-25E:C

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H512M4THN-25E:M

MT47H512M4THN-25E:M

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
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