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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR
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1760098MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR imageMicron Technology

MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Package composant fournisseur
    90-VFBGA (10x13)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    90-VFBGA
  • Autres noms
    MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR-ND
    MT48H16M32LFCM-6LIT:BTR
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (16M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA (10x13)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT48H16M32
  • Temps d'accès
    5ns

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MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR

MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT48H16M32LFCM-75:B TR

MT48H16M32LFCM-75:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT48H16M32LFB5-6 IT:C

MT48H16M32LFB5-6 IT:C

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT48H16M32LFB5-75 IT:C TR

MT48H16M32LFB5-75 IT:C TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT48H16M32LFB5-6 AAT:C TR

MT48H16M32LFB5-6 AAT:C TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT48H32M16LFB4-6 IT:C

MT48H32M16LFB4-6 IT:C

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT48H32M16LFB4-6 AT:C

MT48H32M16LFB4-6 AT:C

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT48H16M32LFCM-6 L IT:B

MT48H16M32LFCM-6 L IT:B

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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RFQ
MT48H16M32LFCM-6:B TR

MT48H16M32LFCM-6:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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RFQ
MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR

MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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RFQ
MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR

MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

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MT48H16M32LFB5-75 IT:C

MT48H16M32LFB5-75 IT:C

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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RFQ
MT48H32M16LFB4-6 AT:C TR

MT48H32M16LFB4-6 AT:C TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

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RFQ
MT48H32M16LFB4-6 AAT:C

MT48H32M16LFB4-6 AAT:C

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

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MT48H16M32LFCM-6 IT:B

MT48H16M32LFCM-6 IT:B

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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MT48H16M32L2F5-8 IT TR

MT48H16M32L2F5-8 IT TR

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MT48H16M32LFCM-75:A TR

MT48H16M32LFCM-75:A TR

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MT48H16M32L2F5-8 TR

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MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR

MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR

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MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR

MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR

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