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5235440MT48H8M16LFB4-6:K imageMicron Technology

MT48H8M16LFB4-6:K

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT48H8M16LFB4-6:K
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Package composant fournisseur
    54-VFBGA (8x8)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    54-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    128Mb (8M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-VFBGA (8x8)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT48H8M16
  • Temps d'accès
    5ns
MT48H8M16LFB4-6:K TR

MT48H8M16LFB4-6:K TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT48H4M32LFB5-75 IT:K

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT48H4M32LFB5-75 AT:K

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT48H4M32LFB5-75:K

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT48H8M16LFB4-10

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Fabricant: Micron Technology
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MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR

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MT48H8M16LFB4-8 IT:J TR

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MT48H8M16LFB4-6 IT:K

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MT48H8M16LFB4-8 IT:J

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MT48H8M16LFB4-8 IT TR

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MT48H8M16LFB4-75 IT:K

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MT48H4M16LFF4-8 IT

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La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

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MT48H4M32LFB5-6:K

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MT48H8M16LFB4-8:J

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MT48H8M16LFB4-75:K

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MT48H8M16LFB4-8 TR

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MT48H4M32LFB5-6 IT:K

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MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR

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MT48H4M16LFF4-8

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