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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR
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MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.1V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Autres noms
    MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR-ND
    MT53B256M32D1NP-062AAT:CTR
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    8Gb (256M x 32)
  • Interface mémoire
    -
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1600MHz
  • Fréquence d'horloge
    1600MHz

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Expédition
Paiement
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MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

La description: IC DRAM 8G 1866MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C

MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT53B256M32D1NP-062 WT:C

MT53B256M32D1NP-062 WT:C

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR

MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

La description: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR

MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1PX-062 XT:C

MT53B256M32D1PX-062 XT:C

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1NP-053 WT:C

MT53B256M32D1NP-053 WT:C

La description: IC DRAM 8G 1866MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR

MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C

MT53B256M32D1NP-062 AAT:C

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C

MT53B256M32D1NP-062 AIT:C

La description: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1NP-062 AUT:C

MT53B256M32D1NP-062 AUT:C

La description: IC SDRAM 8GBIT 1.6GHZ 200FBGA

Fabricant: Micron Technology Inc.
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