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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR
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MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.1V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Autres noms
    MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR-ND
    MT53B512M64D4NJ-062WT:BTR
  • Température de fonctionnement
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    32Gb (512M x 64)
  • Interface mémoire
    -
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1600MHz
  • Fréquence d'horloge
    1600MHz

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MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C

MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C

La description: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D

MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR

MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR

MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B512M64D4NK-053 WT:C

MT53B512M64D4NK-053 WT:C

La description: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B512M64D4NK-062 WT:B TR

MT53B512M64D4NK-062 WT:B TR

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR

MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR

La description: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR

MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C

MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT53B512M64D4NK-062 WT:C TR

MT53B512M64D4NK-062 WT:C TR

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

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RFQ
MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR

MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT53B512M64D4EZ-062 WT:B

MT53B512M64D4EZ-062 WT:B

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT53B512M64D4EZ-062 WT:C

MT53B512M64D4EZ-062 WT:C

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

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MT53B512M64D4NH-062 WT:C

MT53B512M64D4NH-062 WT:C

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

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MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR

MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR

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MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR

MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR

La description: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR

MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

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MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C

MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C

La description: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

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