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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR
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MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 32G 1866MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.1V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Autres noms
    MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR-ND
    MT53D512M64D4RQ-053WT:ETR
  • Température de fonctionnement
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    32Gb (512M x 64)
  • Interface mémoire
    -
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1866MHz
  • Fréquence d'horloge
    1866MHz

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Paiement
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MT53D512M64D4SB-046 XT:E

MT53D512M64D4SB-046 XT:E

La description: IC DRAM 32G 2133MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

La description: IC DRAM 32G 1866MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

La description: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B

La description: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR

MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR

La description: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D8HR-053 WT:B

MT53D512M64D8HR-053 WT:B

La description: IC DRAM 32G 1866MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR

MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR

La description: IC DRAM 32G 1866MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D4SB-046 XT:D

MT53D512M64D4SB-046 XT:D

La description: IC DRAM 32G 2133MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

La description: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

La description: IC DRAM 32G 2133MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E

La description: IC DRAM 32G 2133MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E

MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E

La description: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR

La description: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR

MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR

La description: IC DRAM 32G 2133MHZ

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MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

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La description: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

La description: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

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MT53D512M64D4NZ-053 WT:D

MT53D512M64D4NZ-053 WT:D

La description: IC DRAM 32G 1866MHZ

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MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E

MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E

La description: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

La description: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR

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