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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > N25Q064A13ESE40R01 TR
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N25Q064A13ESE40R01 TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    N25Q064A13ESE40R01 TR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 64M SPI 108MHZ SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    8ms, 5ms
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NOR
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Autres noms
    N25Q064A13ESE40R01 TR-ND
    N25Q064A13ESE40R01TR
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    64Mb (16M x 4)
  • Interface mémoire
    SPI
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NOR Memory IC 64Mb (16M x 4) SPI 108MHz
  • Fréquence d'horloge
    108MHz
N25Q064A13ESEC0G

N25Q064A13ESEC0G

La description: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

Fabricant: Micron Technology
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N25Q064A13EF840F TR

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La description: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN

Fabricant: Micron Technology
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N25Q064A13ESEA0F TR

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La description: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

Fabricant: Micron Technology
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N25Q064A13EF840E

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La description: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN

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N25Q064A13ESEC0E

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N25Q064A13ESEH0E

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N25Q064A13ESED0F TR

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N25Q064A13EF8A0E

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N25Q064A13ESE40G

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N25Q064A13ESE4MF TR

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N25Q064A13EF8H0E

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N25Q064A13ESE40E

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N25Q064A13ESE40F TR

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N25Q064A13EF640FN03 TR

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La description: IC FLASH 64M SPI 108MHZ VDFPN

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N25Q064A13ESEDFF TR

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N25Q064A13EF8A0F TR

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