1N5415US

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Spécifications

Modèle de produit

1N5415US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 50V 3A D5B
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N5415US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.5V @ 9A
Tension - inverse (Vr) (max)

50V
Package composant fournisseur

D-5B
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

150ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

E-MELF
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 50V 3A Surface Mount D-5B
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 50V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

-

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Ce qui suit est des produits liés à "1N5415US".

1N5408TA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Fabricant: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

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