1N5554US

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Spécifications

Modèle de produit

1N5554US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N5554US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.2V @ 9A
Tension - inverse (Vr) (max)

1000V
Package composant fournisseur

B, SQ-MELF
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

2µs
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SQ-MELF, B
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 1000V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

-

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "1N5554US".

1N5553US

La description: DIODE GEN PURP 800V 5A

Fabricant: Semtech

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