1N5615

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Spécifications

Modèle de produit

1N5615
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N5615.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.6V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

200V
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

150ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

A, Axial
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 200V 1A Through Hole
Courant - fuite, inverse à Vr

500nA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

45pF @ 12V, 1MHz

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "1N5615".

1N5614GPHE3/54

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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