1N5619US

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Spécifications

Modèle de produit

1N5619US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N5619US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.6V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

D-5A
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

250ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SQ-MELF, A
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
Courant - fuite, inverse à Vr

500nA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

25pF @ 12V, 1MHz

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1N5620US

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricant: Microsemi

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