1N6074

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Spécifications

Modèle de produit

1N6074
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N6074.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

2.04V @ 9.4A
Tension - inverse (Vr) (max)

100V
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

30ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

A, Axial
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 155°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 100V 850mA Through Hole
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 100V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

850mA
Capacité à Vr, F

-

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Ce qui suit est des produits liés à "1N6074".

1N6072A

La description: TVS DIODE 185VWM 328VC DO13

Fabricant: Microsemi Corporation

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