Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > 1N6629US
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3059377

1N6629US

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
100+
$17.136
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    1N6629US
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    1N6629US.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.4V @ 1.4A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    880V
  • Package composant fournisseur
    A-MELF
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    50ns
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    SQ-MELF, A
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 880V 1.4A Surface Mount A-MELF
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    2µA @ 880V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1.4A
  • Capacité à Vr, F
    40pF @ 10V, 1MHz

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "1N6629US".
1N6629

1N6629

La description: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6628US

1N6628US

La description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6633

1N6633

La description: DIODE ZENER 3.6V 5W AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
1N6625

1N6625

La description: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6631

1N6631

La description: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6632US

1N6632US

La description: DIODE ZENER 3.3V 5W D5B

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6633US

1N6633US

La description: DIODE ZENER 3.6V 5W D5B

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6625US

1N6625US

La description: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6627

1N6627

La description: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6628

1N6628

La description: DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6627US

1N6627US

La description: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6631US

1N6631US

La description: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6632

1N6632

La description: DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6626

1N6626

La description: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6634US

1N6634US

La description: DIODE ZENER 3.9V 5W D5B

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6630US

1N6630US

La description: DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6625E3

1N6625E3

La description: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
1N6626US

1N6626US

La description: DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6630

1N6630

La description: DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6634

1N6634

La description: DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.