2N1724A

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Spécifications

Modèle de produit

2N1724A
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

POWER BJT
État sans plomb / État RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-61
Séries

-
Puissance - Max

3W
Package / Boîte

TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Autres noms

2N1724AMS
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Stud Mount
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 5A 3W Stud Mount TO-61
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 2A, 15V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

5A

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2N1701

La description: NPN TRANSISTOR

Fabricant: Microsemi

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