2N2432UB

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Spécifications

Modèle de produit

2N2432UB
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

BJTS
État sans plomb / État RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

UB
Séries

-
Puissance - Max

360mW
Package / Boîte

4-SMD, No Lead
Autres noms

2N2432UBMS
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 360mW Surface Mount UB
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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Ce qui suit est des produits liés à "2N2432UB".

2N2484UA

La description: TRANS NPN 60V 0.05A

Fabricant: Microsemi

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