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2N3019

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Spécifications

Modèle de produit

2N3019
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 80V 1A TO-5
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

2N3019.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-5
Séries

-
Puissance - Max

800mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Autres noms

2N3019MS
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1A

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Ce qui suit est des produits liés à "2N3019".

2N3014

La description: NPN HS MED PWR SWITCH

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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