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Spécifications

Modèle de produit

2N5097
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANSISTOR NPN TO-5
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

-
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-5
Séries

-
Puissance - Max

4W
Package / Boîte

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Température de fonctionnement

-
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

Not Applicable
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 1A 4W Through Hole TO-5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1A

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2N5114

La description: P CHANNEL JFET

Fabricant: Microsemi

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