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Spécifications

Modèle de produit

2N7334
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

2N7334.pdf
Modèle ECAD
Tension - Test

-
Tension - Ventilation

MO-036AB
Vgs (th) (Max) @ Id

700 mOhm @ 600mA, 10V
Séries

-
État RoHS

Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1A
Puissance - Max

1.4W
Polarisation

14-DIP (0.300", 7.62mm)
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

2N7334
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

60nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4V @ 250µA
Fonction FET

4 N-Channel
Description élargie

Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Tension drain-source (Vdss)

Standard
La description

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100V

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "2N7334".

2N7635-GA

La description: TRANS SJT 650V 4A TO-257

Fabricant: GeneSiC Semiconductor

En stock

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