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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT200GN60B2G
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5245175APT200GN60B2G imageMicrosemi

APT200GN60B2G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT200GN60B2G
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 600V 283A 682W TO247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    600V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 200A
  • Condition de test
    400V, 200A, 1 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    50ns/560ns
  • énergie de commutation
    13mJ (on), 11mJ (off)
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    682W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Autres noms
    APT200GN60B2GMI
    APT200GN60B2GMI-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    18 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    Trench Field Stop
  • gate charge
    1180nC
  • Description détaillée
    IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    600A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    283A
APT18F60S

APT18F60S

La description: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
APT2012EC

APT2012EC

La description: LED RED CLEAR CHIP SMD

Fabricant: Kingbright
En stock
APT2012F3C

APT2012F3C

La description: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

Fabricant: Kingbright
En stock
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

La description: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

La description: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT200GN60JG

APT200GN60JG

La description: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT18M80S

APT18M80S

La description: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
APT2012LSECK/J4-PRV

APT2012LSECK/J4-PRV

La description: LED ORANGE CLEAR 2SMD

Fabricant: Kingbright
En stock
APT18M80B

APT18M80B

La description: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT19M120J

APT19M120J

La description: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

La description: LED RED CLEAR 2SMD

Fabricant: Kingbright
En stock
APT17N80BC3G

APT17N80BC3G

La description: MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT18M100B

APT18M100B

La description: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

La description: TRANS NPN 480V SOT23

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
APT18F60B

APT18F60B

La description: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT2012CGCK

APT2012CGCK

La description: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

Fabricant: Kingbright
En stock
APT200GT60JR

APT200GT60JR

La description: IGBT 600V 195A ISOTOP

Fabricant: Microsemi
En stock
APT200GN60J

APT200GN60J

La description: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT19F100J

APT19F100J

La description: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

La description: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock

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